Description / Abstract

Table of content

• BEGINN
• Titel
• Copyright / Impressum
• Vorwort
• Inhaltsverzeichnis
• 1 Einführung in die Oszillographenmesstechnik
• 1.1 Allgemeines
• 1.2 Aufbau und Arbeitsweise eines Oszilloskops
• 1.3 Bedienung eines Oszillosko
• 1.4 Lernziel-Test
• 2 Lineare und nichtlineare Widerstände
• 2.1 Allgemeine Eigenschaften
• 2.2 Festwiderstände
• 2.3 Einstellbare Widerstände
• 2.4 Temperaturabhängigkeit von Widerständen
• 2.5 Heißleiterwiderstände und Kaltleiterwiderstände
• 2.6 Spannungsabhängige Widerstände
• 2.7 Lernziel-Test
• 3 Kondensatoren und Spulen
• 3.1 Kapazität
• 3.2 Kondensatoren
• 3.3 Kondensator im Gleichstromkreis
• 3.4 Kondensator im Wechselstromkreis
• 3.5 Reihen- und Parallelschaltung von Kondensatoren
• 3.6 Spulen
• 3.7 Spule im Gleichstromkreis
• 3.8 Spule im Wechselstromkreis
• 3.9 Reihen- und Parallelschaltung von Spulen
• 3.10 Lernziel-Test
• 4 Frequenzabhängige Zwei- und Vierpole
• 4.1 Allgemeines
• 4.2 Reihenschaltung von R und C
• 4.3 Reihenschaltung von R und L
• 4.4 RC-Glied
• 4.5 CR-Glied
• 4.6 RL-Glied
• 4.7 LR-Glied
• 4.8 Schwingkreise
• 4.9 RC-Glied als Integrierglied
• 4.10 CR-Glied als Differenzierglied
• 4.11 Lernziel-Test
• 5 Halbleiterdioden
• 5.1 Halbleiterwerkstoffe
• 5.2 Aufbau eines Halbleiterkristalls
• 5.3 Eigenleitfähigkeit
• 5.4 n-Silizium
• 5.5 p-Silizium
• 5.6 pn-Übergang
• 5.7 Arbeitsweise von Halbleiterdioden
• 5.8 Schaltverhalten von Halbleiterdioden
• 5.9 Temperaturverhalten von Halbleiterdioden
• 5.10 Halbleiterdioden als Gleichrichter
• 5.11 Halbleiterdioden als Schalter
• 5.12 Bauarten von Halbleiterdioden
• 5.13 Prüfen von Halbleiterdioden
• 5.14 Kennwerte und Grenzwerte
• 5.15 Lernziel-Test
• 6 Halbleiterdioden mit speziellen Eigenschaften
• 6.1 Z-Dioden
• 6.2 Kapazitätsdioden
• 6.3 Tunneldioden (Esakidioden)
• 6.4 Backwarddioden
• 6.5 PIN-Dioden
• 6.6 Schottky-Dioden (Hot-Carrier-Dioden)
• 6.7 Lernziel-Test
• 7 Bipolare Transistoren
• 7.1 Allgemeines
• 7.2 Arbeitsweise von pnp-Transistoren
• 7.3 Arbeitsweise von npn-Transistoren
• 7.4 Spannungen und Ströme beim Transistor
• 7.5 Kennlinienfelder und Kennwerte (Emittergrundschaltung)
• 7.6 Wahl des Transistorarbeitspunktes
• 7.7 Steuerung des Transistors
• 7.8 Restströme, Sperrspannungen und Durchbruchspannungen
• 7.9 Übersteuerungszustand und Sättigungsspannungen
• 7.10 Transistorverlustleistung
• 7.11 Temperatureinfluss und Arbeitspunktstabilisierung
• 7.12 Transistorrauschen
• 7.13 Transistordaten
• 7.14 Anwendungen
• 7.15 Lernziel-Test
• 8 Unipolare Transistoren
• 8.1 Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET)
• 8.2 MOS-Feldeffekttransistoren (IG-FET)
• 8.3 Dual-Gate-MOS-FET
• 8.4 Unijunktiontransistoren (UJT)
• 8.5 Lernziel-Test
• 9 Integrierte Schaltungen
• 9.1 Allgemeines
• 9.2 Integrationstechniken
• 9.3 Analoge und digitale integrierte Schaltungen
• 9.4 Integrationsgrad und Packungsdichte
• 9.5 Vor- und Nachteile integrierter Schaltungen
• 9.6 Nanotechnik
• 9.7 Operationsverstärker
• 9.8 Lernziel-Test
• 10 Thyristoren
• 10.1 Vierschichtdioden (Thyristordioden)
• 10.2 Thyristoren (rückwärtssperrende Thyristortrioden)
• 10.3 Thyristortetroden
• 10.4 GTO-Thyristoren
• 10.5 Lernziel-Test
• 11 Diac und Triac
• 11.1 Diac
• 11.2 Triac
• 11.3 Steuerungen mit Diac und Triac
• 11.4 Lernziel-Test
• 12 Fotohalbleiter
• 12.1 Innerer fotoelektrischer Effekt
• 12.2 Fotowiderstände
• 12.3 Fotoelemente und Solarzellen
• 12.4 Fotodioden
• 12.5 Fototransistoren
• 12.6 Fotothyristoren, Fotothyristortetroden
• 12.7 Leuchtdioden (LED)
• 12.8 Halbleiterlaser
• 12.9 Lichtwellenleiter
• 12.10 Opto-Koppler
• 12.11 Lernziel-Test
• 13 Halbleiterbauelemente mit speziellen Eigenschaften
• 13.1 Hallgeneratoren
• 13.2 Feldplatten
• 13.3 Magnetdioden
• 13.4 Druckabhängige Halbleiterbauelemente
• 13.5 Flüssigkristall-Bauteile
• 13.6 Thin-Film-Transistor(TFT)-LCD-Bildschirme
• 13.7 Plasma-Displays (PDP, Plasma Display Panel)
• 13.8 Lernziel-Test
• 14 Elektronen- und Ionenröhren
• 14.1 Thermoemission
• 14.2 Röhrendiode (Zweipolröhre, Vakuumdiode)
• 14.3 Triode (Dreipolröhre)
• 14.4 Tetrode (Vierpolröhre)
• 14.5 Pentode (Fünfpolröhre)
• 14.6 Elektronenstrahlröhren
• 14.7 Ionenröhren
• 14.8 Fotozellen
• 14.9 Lernziel-Test
• 15 Lösungen der Lernziel-Tests
• Kapitel 1
• Kapitel 2
• Kapitel 3
• Kapitel 4
• Kapitel 5
• Kapitel 6
• Kapitel 7
• Kapitel 8
• Kapitel 9
• Kapitel 10
• Kapitel 11
• Kapitel 12
• Kapitel 13
• Kapitel 14
• Anhang Datenblätter
• SIEMENS PNP Silicon Darlington Transistor BC 516
• SIEMENS NPN Silicon Darlington Transistor BC 517
• Glossar
• Stichwortverzeichnis